FDJ局部放电检测仪是按照DL/T846.4-2004《高电压测试设备通用技术条件》、GB/T 7354-2003《局部放电测量》开发的, 产品参考标准:IEC 61730:2-2004"局部放电试验",用于晶体硅组件TPT背膜检测。

一、功能特点

1、测量功能:可检测局部放电幅值、极性、相位、放电起始电压、熄灭电压、次数等相关参数。

2、同步功能:内、外同步任意选择,且具有零标指示和相位分辨功能。

3、显示方式:可选择椭圆、直线、正弦及二维、三维等界面显示局部放电信号,可直观的分析测试过程中信号的频率、相位、幅度以及试验电压之间的相互关系。

4、局部放大:可对单个或某一段放电信号进行波形分析,确定信号的性质。

5、同步消隐:在配合阻抗单元和耦合电容的情况下,可对来自地网、试验电源和试验现场空间的干扰进行同步滤除。

6、极性鉴别:可通过放电信号的脉冲极性区分,是试品内部,还是外部的放电,有效去除外部干扰。

7、频谱分析:基于FFT算法实现的频谱分析与FIR数字滤波功能。

8、增益可调:在量程切换跨度内,实现增益连续可调。

9、保存打印:可保存单次放电的数据,也可记录一段时间的局部放电图形及相关参数,保存的数据可回放和重现方便后期分析。对单次放电的数据提供打印功能。

二、技术指标

  1、测量通道:独立通道;

  2、检测灵敏度:0.5pC;

  3、采样精度:12位;

  4、采样速率:12.5m/s;

  5、测量范围:0.5pC~1μC;

  6、量程线性度误差:优于±5%;

  7、量程切换:/10、×1、×10、×100;

  8、试品电容量范围:6pF~250μF;

  9、测量频带:10kHz~1MHz;

  10、程控滤波:

          低端频率:20kHz,40kHz,60kHz,80kHz;

          高端频率:100kHz,200kHz,300kHz,400kHz;

          数字滤波:10kHz~1MHz可选;

  11、试验电源频率:30~300Hz;

  12、工作环境:环境温度:-10~45℃相对湿度:≤95%;

  13、电源:AC220V;频率50Hz。

三、界面显示

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